باتری گوشی هوشمندی که یک هفته دوام می آورد!

فرارو- شرکت سامسونگ کره جنوبی الکترونیک و IBM، غول فناوری آمریکایی در یک جوینت ونچر موفق تراشه جدیدی تولید کرد که با فناوری منحصر به فرد خود می تواند مصرف انرژی را کاهش داده و عمر باتری دستگاه را تا یک هفته افزایش دهد.

به گزارش فرارو، IBM و سامسونگ آخرین پیشرفت در طراحی نیمه هادی ها را اعلام کردند، روشی جدید برای قرار دادن ترانزیستورها به صورت عمودی بر روی تراشه به جای افقی روی سطح نیمه هادی.

طراحی جدید ترانزیستورهای انتقال میدان عمودی (VTFET) نسخه پیشرفته‌تری از فناوری فعلی FinFET است که در برخی از پیشرفته‌ترین تراشه‌های امروزی استفاده می‌شود و می‌تواند به تراشه اجازه دهد حتی چگال‌تر از ترانزیستورهای فعلی بسته‌بندی شود. اساساً، طراحی جدید ترانزیستورها را به صورت عمودی روی هم قرار می دهد و به جای طراحی جانبی افقی که در حال حاضر در بسیاری از تراشه ها استفاده می شود، جریان بالا و پایین ترانزیستور را می دهد.

اگرچه ما هنوز با استفاده از طراحی VTFET که می تواند بر روی تراشه های واقعی استفاده شود فاصله داریم، این دو شرکت ادعای بزرگی دارند و خاطرنشان می کنند که تراشه های VTFET می توانند “دو برابر بهبود عملکرد یا 85٪ کاهش مصرف برق” را ارائه دهند. به دلیل فناوری فعلی FinFET و تاکید بر بسته بندی ترانزیستورهای بیشتر روی تراشه، IBM و سامسونگ ادعا می کنند که فناوری VTFET می تواند به هدف مور برای افزایش تعداد ترانزیستورها کمک کند.

IBM و سامسونگ همچنین برخی از کاربردهای جاه طلبانه فناوری های جدید را به اشتراک می گذارند، مانند ایده «باتری موبایلی که می تواند بیش از یک هفته به جای چند روز شارژ شود»، استخراج ارز دیجیتال با انرژی کمتر یا رمزگذاری داده ها. و ابزارهای اینترنتی قدرتمندتر. جسم یا فضاپیما.

IBM در اوایل سال جاری از اولین تراشه 2 نانومتری خود رونمایی کرد که با افزایش تعداد ترانزیستورهای احتمالی روی تراشه با استفاده از طراحی فعلی FinFET، مسیر متفاوتی را برای مونتاژ ترانزیستورهای بیشتر در پیش گرفت. با این حال، VTFET می‌خواهد همه چیز را تغییر دهد، اما احتمالاً هنوز تا زمانی که تراشه‌های مبتنی بر IBM و آخرین فناوری سامسونگ وارد بازار شوند، فاصله داریم.

با این حال، این دو غول فناوری جهان تنها شرکت هایی نیستند که می خواهند فناوری تراشه را تغییر دهند. اینتل در تابستان امسال نسخه نمایشی طراحی RibbonFET را راه اندازی می کند که جایگزین فناوری فعلی تولید FinFET این شرکت خواهد شد. این فناوری قرار است بخشی از محصول نیمه هادی نسل 20A اینتل باشد که در سال 2024 عرضه خواهد شد. این شرکت همچنین اخیراً برنامه هایی را برای فناوری ترانزیستور پشته ای به عنوان جانشین بالقوه RibbonFET در آینده اعلام کرده است.

منبع: theverge

ترجمه: مصطفی جرفی فرارو